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Si1056X
Vishay Siliconix
TYPICAL CHARACTERISTICS (T A = 25 °C, unless otherwise noted)
6
2.4
5
4
3
2
V GS = 5 V thr u 2 V
V GS = 1.5 V
2.1
1. 8
1.5
1.2
0.9
0.6
T J = 125 °C
1
V GS = 1.0 V
0.3
T J = 25 °C
T J = - 55 °C
0
0.0
0.0
0.6
1.2
1. 8
2.4
0.0
0.4
0. 8
1.2
1.6
2.0
0.15
0.12
V DS - Drain-to-So u rce V oltage ( V )
Output Characteristics
V GS - Gate-to-So u rce V oltage ( V )
Transfer Characteristics Curves vs. Temperature
8 00
600
0.09
0.06
V GS = 1. 8 V
V GS = 2.5 V
V GS = 4.5 V
400
200
C iss
C oss
0.03
0
C rss
0
1
2
3
4
5
6
0
4
8
12
16
20
5
4
I D - Drain C u rrent (A)
On-Resistance vs. Drain Current
I D = 1.3 A
1. 8
1.6
V DS - Drain-to-So u rce V oltage ( V )
Capacitance
3
V DS = 10 V
1.4
V GS = 4.5 V , I D = 1.3 A
V GS = 2.5 V , I D = 1.2 A
2
1
0
V GS = 16 V
1.2
1.0
0. 8
0.6
V GS = 1. 8 V , I D = 1.1 A
0
1
2
3
4
5
6
- 50
- 25
0
25
50
75
100
125
150
Q g - Total Gate Charge (nC)
Q g - Gate Charge
Document Number: 73895
S10-2542-Rev. D, 08-Nov-10
T J - J u nction Temperat u re (°C)
On-Resistance vs. Junction Temperature
www.vishay.com
3
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